本程序使用一flash 中一页作为数据存储，为了提高写入可写入次数采用循环使用的方法，敬请参考。
//FLASH 32K空间中的最后一页（1024字节）
#define EEPROM_START_ADDR 0X8007C00 //模拟EEPROM在FLASH中的开始地址
#define EEPROM_END_ADDR 0X8008000 //结束地址
#define EEPROM_BLOCK_SIZE 32 //要存储的参数长度(此值必须能够整除1024
static void EepInit(void)
{
uint8_t i;
uint32_t addr=EEPROM_START_ADDR;
FLASH_Unlock();
FLASH_ErasePage(EEPROM_START_ADDR);
//...此处写入默认数据(参数)
for(i=0;i<EEPROM_BLOCK_SIZE;i+=2)
{
FLASH_ProgramHalfWord(addr,0xAABB);
addr+=2;
}
FLASH_Lock();
}
//向模拟EEPROM写入数据
void EepWrite(uint8_t *buf,uint8_t size)
{
uint8_t i,*p;
uint32_t addr=EEPROM_START_ADDR;
uint16_t val;
FLASH_Unlock();
//查找最后存储地址
while(addr < EEPROM_END_ADDR)
{
p=(uint8_t *)addr;
for(i=0;i<EEPROM_BLOCK_SIZE;i++)
{
if(p[i]!=0xff) //不空
break;
}
if(i==EEPROM_BLOCK_SIZE) //全部为空
break;
addr+=EEPROM_BLOCK_SIZE;
}
//用完空间
if(addr >= EEPROM_END_ADDR)
{
FLASH_ErasePage(EEPROM_START_ADDR);
addr=EEPROM_START_ADDR;
}
for(i=0;i<EEPROM_BLOCK_SIZE;i+=2)
{
if(i>=size) break;
//STM32F0为小端模式(一般mcu都是小端)，高字节在后
val=buf[i+1];
val<<=8;
val+=buf[i];
FLASH_ProgramHalfWord(addr,val);
addr+=2;
}
FLASH_Lock();
}
//从模拟EEPROM读入数据
void EepRead(uint8_t *buf,uint8_t size)
{
uint32_t addr=EEPROM_START_ADDR;
uint8_t i,*p=(uint8_t *)addr;
//查找最后存储地址
while(addr < EEPROM_END_ADDR)
{
p=(uint8_t *)addr;
for(i=0;i<EEPROM_BLOCK_SIZE;i++)
{
if(p[i]!=0xff) //不空
break;
}
if(i==EEPROM_BLOCK_SIZE) //找到一个空位置
break;
addr+=EEPROM_BLOCK_SIZE;
}
if(addr == EEPROM_START_ADDR) //未初始化
{
EepInit();
addr=EEPROM_START_ADDR;
}
else
{
addr-=EEPROM_BLOCK_SIZE; //调整到最后有效地址处
}
p=(uint8_t *)addr;
size=size<EEPROM_BLOCK_SIZE?size:EEPROM_BLOCK_SIZE;
for(i=0;i<size;i++)
buf[i]=p[i];
}
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